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产品类别:半导体材料常用真空炉
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本设备主要应用于光电陶瓷管壳HTCC烧结使用,是构建陶瓷lab必常用的设备。
高温共烧陶瓷(HTCC)是光电陶瓷管壳最主要的部件之一,
HTCC是由陶瓷(氧化铝基,烧结温度≥1500℃)与金属线路(Mo、W等高熔点金属)堆叠并共烧而成,然而Mo、W等金属在烧结过程中易与氧气反应而被氧化,导致其电导率下降,因此HTCC通常需要在还原气氛(氢气比例≥5vol%)下共烧。
1. 设备外形尺寸:W*D*H不大于2000*2000*2500 mm;
2. 外接设施参数配置;电源电压稳定在220V,
3. 设备部署环境;普通实验室室内,温度20~30℃,相对湿度30%~90%;
华为需求 | |
类型 | 箱式炉 |
膛体尺寸 | ≥200*200*200mm |
炉膛材料 | 耐高温材质 |
最高使用温度 | 长期使用温度1600℃,可在1650℃短时间使用 |
控温系统 | 自动化PLC |
控温精度 | 在>1000℃范围内控温精度+/-1℃ |
加热元件 | Mo丝 |
升温速率 | ≥5℃/min |
冷却系统 | 炉门风冷+水冷机水冷 |
真空度 | 机械泵,真空度<500Pa |
流量控制 | 双路进气(N2+H2),高精度PLC控制,最大流量≥4L/min |
氮气加湿 | 具备进气加湿功能(水温可控:25~50℃) |
压力控制 | 实时炉内压力显示,具报警功能 |
出气口氧含量检测仪 | 固定式(有报警功能),同时提供手持式 |
排气处理 | 具氢气尾气自动处理装置(带保护罩),同时具备自动重启和故障报警、自动气路断开功能 |